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多晶硅
用 途：
是极为重要的优良半导体材料，是制备单晶硅和太阳能电池的原材料,是全球电子工业及光伏产业的基石
特 点：
单质硅的一种形态，灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用
范 围：
硅块线性尺寸3-350mm之间的各类型全系列产品
产 地：
新疆乌鲁木齐
重点产品

多晶硅免洗(xi) 2 号(hao)菜(cai)花(hua)料

多晶硅免洗2号料

多晶硅免洗4号料

多晶硅免洗菜花料

  • 性能指标符合太阳能特级品及以上免洗标准(GB/T25074-2017)。表面颗粒凹陷深度在5-20mm，断面缝隙在0-20mm（仅限于缝隙和孔洞，不能出现颗粒状），外观无色斑、变色、无氧化夹层、无目视可见污染物。
  • 性能指标符合太阳能特级品及以上免洗标准(GB/T25074-2017)。表面颗粒凹陷深度≤5mm（表面呈现轻微粗糙，但无肉眼可见的孔洞），断面结构致密，无色斑、变色、无目视可见的污染物和氧化或经过清洗后硅料达到无污染、杂物、氧化的成品多晶硅料，满足客户直接投炉使用的需求。
  • 性能指标符合太阳能特级品及以上免洗标准(GB/T25074-2017)。表面颗粒凹陷深度≤5mm（表面呈现轻微粗糙，但无肉眼可见的孔洞），断面结构致密，无色斑、变色、无目视可见的污染物和氧化或经过清洗后硅料达到无污染、杂物、氧化的成品多晶硅料，满足客户直接投炉使用的需求。
  • 性能指标符合太阳能特级品及以上免洗标准(GB/T25074-2017)。表面颗粒凹陷深度在5-20mm，断面缝隙在0-20mm（仅限于缝隙和孔洞，不能出现颗粒状），外观无色斑、变色、无氧化夹层、无目视可见污染物。